近兩年全球汽車產業不景氣， 但各大車廠依然積極往電動車與自動駕駛車發展， 而背後需要各式的功率元件、影像感測、毫米波雷達等車用半導體， 潛在的商機相當可觀。雖然國內在車用半導體領域起步較晚， 但相關業者仍努力通過各項車規認證， 並與國際車用IDM大廠積極合作，成為供應鏈之一員。

受到美中貿易戰干擾，全球車市仍未走出寒冬，不少車廠都開始撙節開支，甚至停工減產；衝擊到車用電子、車用半導體等汽車零組件產業鏈營運。不過日前剛閉幕的法蘭克福車展，賓士、福斯、ＢＭＷ、保時捷等品牌都不約而同發表電動車，主要是因自明年起歐盟九五％汽車二氧化碳排放量必須減少到九五克，二○二一年所有新車都須符合，此一嚴苛法規驅使各家車廠無不積極投入電動車的開發。全球最大車廠福斯汽車推出首款平價電動車ＩＤ３，希望能夠搶攻電動車市占率，不讓Tesla Model 3專美於前。鎖定金字塔頂端客層的保時捷，也發表首款電動車超跑Taycan，不論是性能或續航力幾乎凌駕競爭對手Tesla；同時宣布在三年內投入六○億歐元發展電動車。

儘管全球車市依然疲弱不振，但投資界看好電動車未來的成長潛力。尤其，歐洲市場可望成為中國與美國之外另一新興市場。就各國對於電動車推進時程，根據ＩＥＡ統計，預估二○二五年全球新掛牌電動車可望突破二五○○萬輛，屆時全球新車每四輛就有一輛電動車。車用電子和電動車滲透率長期穩定提升趨勢，有助帶動相關零件及供應鏈表現。除了電動車之外，汽車自動化比例愈高，則需要仰賴更多電子元件協助，依據車用半導體大廠ON Semi指出當自動駕駛車從Level 2升到Level 4時，駕駛輔助系統配備的各種ＩＣ半導體感測器數量，將達到四○個以上；至於電動汽車所搭載的各種電子元件成本將高達五八○美元，電源ＩＣ年複合成長率將達到四二％。

國際大廠主導中高壓MOSFET

雖然目前看來電動車或自動駕駛車的滲透率並不高，但就長期趨勢而言，只是時間早晚問題。從投資角度來看，或許當前不少供應鏈股價在相對低檔位置，若能逢低布局，等待時機成熟，相信股價就會有所反應。因應電動車快速成長，將帶動車用半導體中的功率半導體或元件需求大增。基本上，功率半導體大致可分為功率離散元件(Power Discrete)與功率積體電路(Power IC)二大類，而功率離散元件產品包括金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、二極體(Diodes)、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)；其中，MOSFET占功率半導體比重超過五成。

根據全球功率半導體龍頭英飛凌統計，傳統汽車功率半導體成本約為七一美元，平均每輛新車配備十八顆MOSFET元件，若是純電動車(ＢＥＶ)和油電複合動力車(ＨＥＶ)，分別為四五五、三八七美元，MOSFET用量約為二五○顆；不論是成本或是元件使用量均倍數增長。目前全球中高規格MOSFET廠商以歐、美、日的功率半導體ＩＤＭ廠所主導，包括Infineon(IFX)、On Semi(ON)、Vishay(VISH)、Diodes(DIOD)、STMicroelectronics(STM)、Renesas(6723.JP)、三菱電機(6503.JP)、Rohm(6963.JP)等。

有鑑於矽材料的發展已接近其物理極限，因此英飛凌也積極投入新世代寬能隙(Wide Band-gap)材料如碳化矽(Silicon Carbide；簡稱SiC)、氮化鎵(Gallium Nitride；簡稱GaN)。英飛凌自一九九二年即跨足SiC技術開發，以溝槽式(Trench)技術突破了平面式SiC製程的瓶頸，在二○一六年發表以CoolSiC為名的MOSFET系列產品並於一七年正式上市，可提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案；該系列產品將以太陽能、電動車充電系統與工業級電源供應為主要的應用領域。

與傳統矽(Si)材料IGBT和MOSFET的開關元件相比，CoolSiC MOSFET提供了在一二○○Ｖ的開關中具有較低的閘極電荷與電容、反向並聯二極體無反向恢復損耗、較低切換損耗等。韓國現代汽車已宣布未來新世代電動車，將採用英飛凌CoolSiC系列產品。此外，英飛凌為了研發與生產SiC產品，除了與Cree簽署了碳化矽晶圓的供應合約之外，去年更收購位於德國德勒斯登的新創公司Siltectra，該公司開發一種創新的冷切割技術(Cold Split)，可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗。

台半下半年獲利可望好轉

目前國內與功率半導體相關的廠商，從上游磊晶的嘉晶（3016）、漢磊(3707)；晶圓代工台積電（2330）、世界（5347）、聯電（2303）、茂矽（2342）；晶圓薄化昇陽半導體(8028)；下游MOSFET廠商為大中(6435)、尼克森（3317）、富鼎（8261）、杰力(5299)；二極體則為強茂（2481）、台半（5425）、德微(3675)、敦南（5305）；封測廠捷敏ＫＹ(6525)；導線架廠則有順德（2351）與界霖(5285)；IGBT散熱模組健策(3653)與艾姆勒(2241)等。

近期車用半導體庫存去化逐漸改善，八吋晶圓代工廠之稼動率也有所拉升，雖然MOSFET不像去年有漲價效應，但因下游代工產能吃緊，使得MOSFET廠商下半年營運不看淡。不過，國內MOSFET廠商在車用比重並不高，主要是以大中有少量出貨給電動機車。二極體廠台半（5425）近來也積極搶攻車用MOSFET，已經攻入車用OEM零組件大廠如Denso、BOSCH及Continental等，目前車用MOSFET產品主要以低壓四○～六○Ｖ為主。此外，台半去年以七一○萬美元收購美商安森美的瞬態電壓抑制器(TVS)系列產品，並得以使用該產品的全球客戶群、服務客戶之必要存貨，以及Fairchild品牌三○個月之商標授權。不過，今年上半年台半受到全球車市不景氣與半導體庫存影響，獲利較去年同期衰退達三成之多。在庫存逐步去化以及旺季來臨，第三季營收可望創歷年同期新高，毛利率與獲利有機會優於前二季。近期股價在低檔震盪整理，外資法人也出現買盤回補，可望激勵股價往年線附近邁進。

捷敏今年ＥＰＳ六元起跳

捷敏為全球前三大專業功率半導體封測廠，主要客戶集中在分離式元件、ＩＣ設計以及整合元件製造大廠(ＩＤＭ)，提供高、低電壓功率MOSFET、二極體、IGBT及電源轉換或電源管理ＩＣ封測服務，產品主要應用在消費性電子、工業、資訊、車用電子與網路通訊等五大領域。值得一提的是，捷敏與全球智慧功率模組(ＩＰＭ)龍頭日本三菱電機關係密切，雙方於合肥成立合資公司，主攻高電壓產品，有利於切入車用、工業等領域。目前捷敏月產能約四億顆封測品，其中九成產能在上海廠，合肥廠土地是上海廠的三．五倍，未來規劃產能逐步轉移到合肥廠。

上半年因美中貿易戰影響，造成獲利較去年同期小幅衰退，隨著第三季進入傳統旺季，促使七、八月營收連續二個月創下單月歷史新高，估計第三季業績上看九．三億元，有機會改寫單季新高，加上產品組合優化，法人估今年ＥＰＳ至少六元起跳，目前本益比約十一．五倍。相較之下，中國最大MOSFET封測廠長電科技(600584.SH)近期股價創下今年新高，最高來到二○．四八人民幣，累計今年以來股價漲幅高達一四三％；但長電上半年仍虧損，反觀，捷敏不論是在毛利率或獲利等基本面明顯優於長電，但股價漲幅(十一．六％)明顯落後長電，具備比價上漲之空間。就技術面，目前捷敏股價在年線附近橫向整理，近期外資連續小幅買超，且日、周ＫＤ形成交叉向上，有利多方攻勢，後續待量能放大，將挑戰前高七○．三元。